MITSUBISHI A1SJ51T64

Параметры продукта:

Бренд: MITSUBISHI

Тип: Transistor (транзистор)

Тип транзистора:IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Номинальная мощность: 51 кВт

Номинальное напряжение: 640 В

Номинальный ток: 100 А

Утепление: Air cooled (воздухом охлаждается)

Switching frequency: High switching frequency capability

Control: PWM (Pulse Width Modulation) control

Package: Standard package for industrial applications

Спецификации:

MITSUBISHI A1SJ51T64 — это высокопроизводительный IGBT транзистор, предназначенный для применения в индустриальных и автоматизированных системах.

Он обладает номинальной мощностью 51 кВт, номинальным напряжением 640 В, и номинальным током 100 А.

Транзистор имеет воздушную охлаждение, что обеспечивает его надлежащую тепловую устойчивость.

A1SJ51T64 способствует высокочастотному коммутированию, что позволяет его эффективное управление.

Для управления транзистора используется метод PWM (Pulse Width Modulation).

Области применения:

Индустриальная автоматизация: MITSUBISHI A1SJ51T64 идеально подходит для управления мощными нагрузками в индустриальных и автоматизированных системах, включая электродвигатели, генераторы, и другие.

Energy conversion systems: The transistor can be used in energy conversion systems such as solar inverters, wind turbines, and electric vehicles, where high-efficiency and reliable power conversion is required.

Welding equipment: A1SJ51T64 can be utilized in welding equipment that demands high power and precise control for various welding processes.

Please note that the parameters and specifications mentioned may be subject to change depending on the specific application and operating conditions. It is recommended to refer to the official Mitsubishi product documentation or consult with a technical expert for detailed and up-to-date information.